trench mos

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　　日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas...

罗姆 SiC MOS 2011-11-17

恩智浦半导体NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5...

Trench MOSFET 2011-09-16

中国上海，2010年02月05日讯——恩智浦半导体(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶体管，扩...

恩智浦 Trench 6 MOSFET 2010-02-08

器件的电流密度为2A~4A，典型VF低至0.56V 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 1 月 21 日 — 日前，Vish...

Vishay 肖特基整流器 Trench MOS 2010-01-21

1 AB类功放驱动电路设计目标在实用电路中，往往要求放大电路的末级(即输出级)输出一定的功率，以驱动负载。能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路...

驱动电放大器 MOS 2007-12-17

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